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積體電路(IC)是以光學方式把回路印刷到矽晶片上。晶片上的元件或連接元件間的配線線徑極微細，只有1～2um或更小。
其間若有微粒或微生物附著，易使回路短路。
製程中需使用大量高純度的純淨水洗淨，以保有高的良率，以製造1M bit的DRAM產品其水質技術要求如下：
1Mbit DRAM產品的超純水要求規範
| 項目 |
可達到的 |
可接受的 |
項目 |
可達到的 |
可接受的 |
|
電阻,25℃ |
18.2 |
18.0 |
Br- |
<0.1 |
0.1 |
|
TOC, ×10-9 |
<10 |
<30 |
NO3- |
<0.1 |
0.1 |
|
粒子數／L |
|
|
SO24- |
<0.05 |
0.2 |
|
SEM法 |
|
|
總離子 |
<0.5 |
<0.7 |
|
0.2~0.3μm |
|
<2000 |
殘留物,mg／L |
<0.1 |
0.1 |
|
0.3~0.5μm |
<200 |
<200 |
金屬,μg/L |
|
|
|
＞0.5μm |
<1 |
<1 |
Li |
<0.03 |
0.05 |
|
粒子數／L |
|
|
Mg |
<0.02 |
0.05 |
|
激光法 |
|
|
Ca |
2 |
<2.0 |
|
＞0.5μm |
|
<100 |
Sr |
<0.01 |
0.05 |
|
細菌數／100mL |
|
|
Ba |
<0.01 |
0.05 |
|
培養法 |
0 |
<6 |
B |
<0.05 |
2.0 |
|
SEM法 |
<1 |
<10 |
Al |
<0.05 |
0.05 |
|
EPI法 |
<5 |
<50 |
Cr |
<0.02 |
0.05 |
|
溶解的SiO2,μg/L |
<0.4 |
<4 |
Mn |
<0.02 |
0.05 |
|
硼,μg/L |
<0.05 |
2.0 |
Fe |
<0.02 |
0.1 |
|
離子,μg/L |
|
|
Ni |
<0.02 |
0.05 |
|
Na+ |
<0.05 |
0.1 |
Cu |
<0.02 |
0.05 |
|
K+ |
<0.1 |
0.1 |
Zn |
<0.02 |
0.05 |
|
Cl- |
<0.05 |
0.1 |
Pb |
<0.02 |
0.05 |
為生產出符合要求的超純水，各國均發展出不同方式之設備，此謹以RO逆滲透為主軸之處理流程供參考。超純水系統流程：
| 1.進水泵浦(交替運轉) |
10.254nm紫外線殺菌器 |
| 2.活性碳過濾器 |
11.陽離子床 |
| 3.軟化過濾器 |
12.陰離子床 |
| 4.精密過濾器 |
13.0.45電子級濾芯 |
| 5.抑垢劑用泵 |
14.185nm紫外線殺菌器 |
| 6.高壓增壓泵 |
15.增壓輸送泵 |
| 7.RO單元 |
16.精鍊混合床 |
| 8.貯存槽 |
17.254nm紫外線殺菌器 |
| 9.純水輸送泵 |
18.0.2um電子級濾芯 |
| 註：上列流程謹供參考 |
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